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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A; SOT227B (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 62A Kollektorstrom im Impuls: 440A V...
IXYS
IXYN100N120C3H1
€ 51,33*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 64A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT50GF120JRDQ3
€ 132,13*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 64A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT50GF120JRD
€ 75,86*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A; SOT227B (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 65A Kollektorstrom im Impuls: 150A V...
IXYS
IXA70I1200NA
€ 41,65*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 66A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 66A Kollektorstrom im Impuls: 320A V...
IXYS
IXYN82N120C3H1
€ 40,55*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 67A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 67A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT100GT120JRDQ4
€ 95,11*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 67A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 67A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT100GT120JR
€ 79,45*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 70A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT100GN120JDQ4
€ 85,47*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 70A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT70GR120J
€ 48,45*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 70A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT100GN120J
€ 59,22*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 70A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT70GR120JD60
€ 60,60*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A; GJ-U (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-U Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Imp...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG75U12GJ
€ 32,55*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A; GJ-UZ (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-UZ Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 75A Anwendung: Motoren;Wechselrichter Elektrische Mont...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG75UZ12GJ
€ 32,57*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 79A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 79A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT60GF120JRDQ3
€ 166,99*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 79A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 79A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT60GF120JRD
€ 114,03*
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