MOSFET-Transistor  (25.860 Angebote unter 29.258.290 Artikeln)Zum Expertenwissen

Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Qualifikation: - Verlustleistung: 310 W Transistormontage: Through Hole Dauer-Drainstrom Id: 75 A Drain-Source-Spannung Vds: 100 V Produktpalett...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id...

Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 9,3 A; 9,6 A Drain-Source-Spannung max. = 35 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ Channel-M...

MOSFET, BSS123W-7-F, Diodes Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiz...

MOSFET, Typ=IXFH170N10P, Abfallzeit=33 ns, Anstiegzeit=50 ns, Ausschaltverzögerung=90 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=100 V, Einsch...

Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8 ohm Dauer-Drainstrom Id: 1.2 A Verlustleistung: 30 W Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 °C SVHC: Lead MSL: - Bauform - Tr...

Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Da...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8,5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Channel-Modus = En...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 1...

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Spannung Vds: 40 V Dauer-Drainstrom Id: 3 A Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036 ohm Verlustleistung: 750 mW MSL...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 3...

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 15 mΩ Channel-Modus = Enha...

MOSFET, ZXM61N03FTA, Diodes Diese neue Generation von High-Density-MOSFETs nutzt eine einzigartige Struktur, die die Vorteile eines niedrigen Durchlasswiderstands mit einer hohen Schaltgeschwindigk...