IGBT  (2.775 Angebote unter 27.747.588 Artikeln)Zum Expertenwissen

IGBT, IXBK55N300, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75 V Kontinuierlicher Kolle...

Dauer-Kollektorstrom max. = 90 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 625 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXBK64N250, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: - Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: H...

Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 480 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXBL64N250, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Sättigungsspa...

Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

IGBT, IXBN42N170A, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizien...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberko...

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 428 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...

IGBT, IXBN75N170, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: ...

Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 750 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...