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| Artikel-Nr.:
4502-74P0733 Herst.-Nr.:
IXBN42N170A EAN/GTIN:
4099891775988 |
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| IGBT, IXBN42N170A, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Sättigungsspannung und des Durchlassspannungsabfalls der inneren Diode ideal für den Parallelbetrieb. Darüber hinaus dient diese "freie" intrinsische Body-Diode als Schutzdiode, die einen alternativen Pfad für den induktiven Laststrom bietet, wenn das Gerät ausgeschaltet ist, und verhindert, dass hohe Ldi/dt-Spannungstransienten das Gerät beschädigen. Features * Hohe Leistungsdichte * Hohe Blockierspannung * Geringe Leitungsverluste * MOS-Gate für einfache Ansteuerung einschalten * Einfacher Systemaufbau Anwendungen * Radarsender-Stromversorgungen * Radar-Impulsmodulatoren * Kondensator-Entladungsschaltungen * Hochspannungs-Stromversorgungen * AC-Schalter * HV-Schutzschalter * Impulsgeber-Schaltungen Weitere Informationen: | | Ausführung: | Einfach | Gehäuse: | SOT-227 | max. Spannung: | 1700 V | max. Strom: | 38 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | Schraubmontage | Sättigungsspannung: | 6 V | Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ.: | 0.43 mJ | Schaltverlust b. Einschalten Eon typ.: | 5.4 mJ | Verlustleistung VA (AC): | 313 W | Ursprungsland: | KR | Gewicht: | 0.03 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente |
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