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| Artikel-Nr.:
108EL-1241337 Herst.-Nr.:
FGY75N60SMD EAN/GTIN:
5059042548150 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 750 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.87 x 4.82 x 20.32mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 150 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 750 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.87 x 4.82 x 20.32mm | Betriebstemperatur max.: | +175 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 1241337, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGY75N60SMD, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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