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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 4A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SKIIP10NAB12T4V1
Hersteller:
     SEMIKRON DANFOSS
Herst.-Nr.:
     SKIIP 10NAB12T4V1 25231660
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
UPS
USV
USV Anlage
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Gehäuse: MiniSKiiP® 1
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 4A
Kollektorstrom im Impuls: 12A
Anwendung: für UPS;Wechselrichter;Photovoltaik
Elektrische Montage: Press-Fit
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Topologie: 3-Phasendiodenbrücke;IGBT Halbbrücke x3;NTC Thermistor;boost chopper
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