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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Stromshunt,IGBT Halbbrücke


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SEMIX303GB12E4I50P
Hersteller:
     SEMIKRON DANFOSS
Herst.-Nr.:
     SEMIX303GB12E4I50P 27897007
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
UPS
USV
USV Anlage
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Gehäuse: SEMiX® 3p
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 300A
Kollektorstrom im Impuls: 900A
Anwendung: für UPS;Wechselrichter;Photovoltaik
Elektrische Montage: Press-Fit;schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Topologie: Thermistor;IGBT Halbbrücke;Stromshunt
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