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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SEMIX106GD12T4P
Hersteller:
     SEMIKRON DANFOSS
Herst.-Nr.:
     SEMIX106GD12T4P 27896010
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
UPS
USV
USV Anlage
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Gehäuse: SEMiX® 6p
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 100A
Kollektorstrom im Impuls: 300A
Anwendung: für UPS;Wechselrichter;Photovoltaik
Elektrische Montage: Press-Fit
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Topologie: Thermistor;3-phasen Brücke IGBT
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