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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 695W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-MIXA150R1200VA
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MIXA150R1200VA
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
igbt module
Hersteller: IXYS
Gehäuse: V1-A-Pack
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 175A
Kollektorstrom im Impuls: 450A
Anwendung: Motoren;für Pumpen;Lüfter;Photovoltaik
Verlustleistung: 695W
Elektrische Montage: Steckverbinder FASTON
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: Sonic FRD™;XPT™
Topologie: boost chopper
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