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VISHAY SI2356DS-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 40V, 4.3A, SOT-23


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     139-2679679
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2356DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Dioden
Einfache
FETs
Gleichrichter
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 4.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 1.7 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Die Konditionen im Überblick1
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