|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-9056166 Herst.-Nr.:
SK 150 MLI 066 T EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 151 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = SEMITOP4
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 70
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 55 x 60.25 x 15.08mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C
Vierfach-IGBT-Module. Aufgrund der Serienkonfiguration dieser Semikron-Vierfach-IGBT-Module sind sie die perfekte Lösung für Anwendungen, bei denen eine 3-Ebenen-Topologie mit hoher Leistung erforderlich ist. Diese kompakten SEMITOP-3-Module für Leiterplattenmontage verfügen über eine Einlochbefestigung mit ausgezeichneter Wärmeübertragung und nutzen die Trench-IGBT-Technologie. Zu den typischen Anwendungen gehören 3-phasige DC/AC-Wechselrichter und USV-Netzteile. Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 151 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Gehäusegröße: | SEMITOP4 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 70 | Transistor-Konfiguration: | Serie | Abmessungen: | 55 x 60.25 x 15.08mm | Betriebstemperatur min.: | -40 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 9056166, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Semikron, SK150MLI066T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs, SK150MLI06 |
| | |
| |