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Renesas Electronics 2SK1317 2SK1317-E N-Kanal MOSFET Transistor 1500 V / 7 A, 3-Pin SC-65


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     108EL-2615961
Hersteller:
     Renesas Electronics
Herst.-Nr.:
     2SK1317-E
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2615961
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7 A
Drain-Source-Spannung max. = 1500 V
Gehäusegröße = SC-65
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 12 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = 2SK1317
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
7 A
Drain-Source-Spannung max.:
1500 V
Gehäusegröße:
SC-65
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
12 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Transistor-Werkstoff:
Si
Serie:
2SK1317
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