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Vishay SISA10BDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 104 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     108EL-2395398
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SISA10BDN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2395398
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 104 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8PT
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
104 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 1212-8PT
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
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