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Alliance Memory SDRAM 256MBit 16 M x 16 DDR 166MHz 16bit Bits/Wort 5.4ns TSOP 54-Pin, 3 V bis 3,6 V


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-2308419
Hersteller:
     Alliance Memory
Herst.-Nr.:
     AS4C16M16SA-7TCN
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
DRAM Chip
SDRAM Chip
SDRAM IC
dram chip
Speicher Größe = 256MBit
Organisation = 16 M x 16
Datenumfang = 166MHz
Datenbus-Breite = 16bit
Adressbusbreite = 13bit
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 5.4ns
Anzahl der Wörter = 16 M
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP
Pinanzahl = 54
Abmessungen = 22.35 x 10.29 x 1.2mm
Höhe = 1.2mm
Länge = 22.35mm
Arbeitsspannnung min. = 3 V

Der Alliance Memory 256 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 256 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 4M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank Active-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.Schnelle Zugriffszeit von der Uhr: 5/5,4 ns Schnelle Taktrate: 166/143 MHz Vollständig synchroner Betrieb Interne verrohrungsbeschlungener Architektur 4 M Wort x 16-Bit x 4-Bank
Weitere Informationen:
Speicher Größe:
256MBit
Organisation:
16 M x 16
Datenumfang:
166MHz
Datenbus-Breite:
16bit
Adressbusbreite:
13bit
Anzahl der Bits pro Wort:
16bit
Zugriffszeit max.:
5.4ns
Anzahl der Wörter:
16 M
Montage-Typ:
SMD
Gehäusegröße:
TSOP
Pinanzahl:
54
Abmessungen:
22.35 x 10.29 x 1.2mm
Höhe:
1.2mm
Länge:
22.35mm
Arbeitsspannnung min.:
3 V
Weitere Suchbegriffe: 2308419, Halbleiter, Speicherbausteine, SDRAM, Alliance Memory, AS4C16M16SA7TCN, Semiconductors, Memory Chips
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