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| Artikel-Nr.: 108EL-2308412 Herst.-Nr.: AS4C16M16SA-6BIN EAN/GTIN: k.A. |
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| Speicher Größe = 256MBit SDRAM-Klasse = DDR Datenumfang = 166MHz Datenbus-Breite = 16bit Adressbusbreite = 13bit Anzahl der Bits pro Wort = 16bit Zugriffszeit max. = 5ns Anzahl der Wörter = 16 M Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = TFBGA Pinanzahl = 54 Abmessungen = 8.0 x 8.0 x 1.2mm Höhe = 1.2mm Länge = 8.0mm Breite = 8.0mm
Der Alliance Memory 256 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 256 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 4M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank Active-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.Schnelle Zugriffszeit von der Uhr: 5/5,4 ns Schnelle Taktrate: 166/143 MHz Vollständig synchroner Betrieb Interne verrohrungsbeschlungener Architektur 4 M Wort x 16-Bit x 4-Bank Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 256MBit | SDRAM-Klasse: | DDR | Datenumfang: | 166MHz | Datenbus-Breite: | 16bit | Adressbusbreite: | 13bit | Anzahl der Bits pro Wort: | 16bit | Zugriffszeit max.: | 5ns | Anzahl der Wörter: | 16 M | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | TFBGA | Pinanzahl: | 54 | Abmessungen: | 8.0 x 8.0 x 1.2mm | Höhe: | 1.2mm | Länge: | 8.0mm | Breite: | 8.0mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 2308412, Halbleiter, Speicherbausteine, SDRAM, Alliance Memory, AS4C16M16SA6BIN, Semiconductors, Memory Chips |
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