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Vishay TrenchFET SQSA70CENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     108EL-2282972
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQSA70CENW-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2282972
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0685 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Transistor-Werkstoff = Si
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
18 A
Drain-Source-Spannung max.:
150 V
Serie:
TrenchFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0685 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Transistor-Werkstoff:
Si
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