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Vishay TrenchFET SQS414CENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     108EL-2282963
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQS414CENW-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2282963
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,023 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Transistor-Werkstoff = Si
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
18 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Serie:
TrenchFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,023 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Transistor-Werkstoff:
Si
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