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Vishay TrenchFET SQJQ140E-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 701 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     108EL-2282961
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJQ140E-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2282961
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 701 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerPAK 8 x 8 l
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,00053 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.3V
Transistor-Werkstoff = Si
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
701 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 8 x 8 l
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
4
Drain-Source-Widerstand max.:
0,00053 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.3V
Transistor-Werkstoff:
Si
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