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| Artikel-Nr.:
108EL-1890261 Herst.-Nr.:
NTMTS001N06CTXG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 376 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = Leistung 88
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 910 μΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 244 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 113 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Kleine Abmessungen (8 x 8 mm) für kompakte Bauweise Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei Typische Anwendungen: Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Vakus UAV/Drohnen, Materialhandhabung BMS/Speicher, Heimautomatisierung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 376 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | Leistung 88 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 910 μΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 244 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 113 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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