Winbond W29N Flash-Speicher 4Gbit, 512 M x 8 Bit, Parallel, 25μs, VFBGA, 63-Pin, 2,7 V bis 3,6 V

Speicher Größe = 4Gbit
Interface-Typ = Parallel
Gehäusegröße = VFBGA
Pinanzahl = 63
Organisation = 512 M x 8 Bit
Montage-Typ = SMD
Zellen-Typ = SLC NAND
Arbeitsspannnung min. = 2,7 V
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Länge = 11.1mm
Höhe = 0.6mm
Breite = 9.1mm
Abmessungen = 11.1 x 9.1 x 0.6mm
Serie = W29N

Dichte: 4 Gbit (Einzelchip-Lösung) VCC: 2,7 V bis 3,6 V Busbreite: X8 Betriebstemperatur Industrie: –40 °C bis 85 °C Single-Level-Cell (SLC)-Technologie. Organisation Dichte: 4G-Bit/512M-Byte Seitengröße 2.112 Byte (2048 + 64 Byte) Blockgröße 64 Seiten (128K + 4K Byte) Höchste Leistung Leseleistung (max.) Zufälliges Lesen: 25 us Sequenzieller Lesezyklus: 25 ns Schreiblösch-Funktion Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.) Blocklöschzeit: 2 ms (typ.) Lebensdauer: 100000 Lösch-/Programmzyklen (1) 10 Jahre Datenspeicherung Befehlssatz Standard-NAND-Befehlssatz Zusätzliche Befehlsunterstützung Sequenzielles Cache-Lesen Zufälliges Lesen des Cache Cache-Programm Kopieren Sie zurück Zweiebenen-Betrieb Wenden Sie sich an Winbond für OTP-Funktion Wenden Sie sich an Winbond für Blockschlossfunktion Niedrigste Leistungsaufnahme Lesen: 25 mA (typ.) Programmieren/Löschen: 25 mA (typ.) CMOS-Standby: 10 μA (typ.) Platzsparende Verpackung 48-poliger Standard-TSOP1 63-Kugel-VFBGA4 GB SLC NAND-Flash-Speicher mit einheitlicher Seitengröße von 2 KB+64 B.Busbreite: X8 Zufälliges Lesen: 25us Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.) Blocklöschzeit: 2 ms (typ.) Unterstützt OTP-Speicherbereich