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| Artikel-Nr.:
108EL-1219633 Herst.-Nr.:
GBJ610-F EAN/GTIN:
5059043078052 |
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| Brücken-Typ = 1-phasig
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1000V
Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = GBJ
Pinanzahl = 4
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Konfiguration = Single
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 170A
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –65 °C
Spitzen-Durchlassspannung = 1V
Stoßspitzensperrstrom = 500µA
Länge = 30.3mm
Breite = 4.8mm
UL, E94661. SIL-Leiterplattenmontage, GBJ-Serie. Brückengleichrichter der GBJ-Serie in SIL-Leiterplattenmontagegehäuse von Diodes Inc. Glas-passivierter Formenbau Hohe Durchschlagfestigkeit des Gehäuses von 2500 V eff Niedriger Rückwärts-Leckstrom Weitere Informationen: | | Brücken-Typ: | 1-phasig | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 1000V | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | GBJ | Pinanzahl: | 4 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Konfiguration: | Single | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 170A | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | –65 °C | Spitzen-Durchlassspannung: | 1V | Stoßspitzensperrstrom: | 500µA | Länge: | 30.3mm | Breite: | 4.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1219633, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, GBJ610F, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bridge Rectifiers |
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