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  bourns electronics  (603 Angebote unter 29.253.069 Artikeln)

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Bourns Electronics GmbH SMD-Brückengleichrichter, 1 kV (RRM), 4 A, CD-DF410S (3 Angebote) 
Gleichrichterdiode, CD-DF410S, Bourns Features * Hohe Stromfähigkeit * Geringe Verlustleistung * Hohe Effizienz * Niedriges Profil * RoHS-konform Anwendungen * AC-betriebene Produkte * Computerbild...
Bourns
CD-DF410S
ab € 0,286*
pro Stück
 
 Stück
99%
Thyristor, DO-214, Bourns Electronics GmbH TISP4015L1AJR-S (3 Angebote) 
Bidirektionaler Thyristor-Überspannungsschutz, TISP4015L1AJR-S, BOURNS Der TISP4015L1AJR-S ist ein bidirektionaler Thyristor-Überspannungsschutz zur Begrenzung von Überspannungen auf digitalen Tele...
Bourns
TISP4015L1AJR-S
ab € 0,127*
pro Stück
 
 Paket
99%
IGBT, 600 V, 30 A, TO-247, Bourns Electronics GmbH BIDNW30N60H3 (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDNW30N60H3, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente...
Bourns
BIDNW30N60H3
ab € 1,72*
pro Stück
 
 Stück
99%
IGBT, 600 V, 20 A, TO-247, Bourns Electronics GmbH BIDW20N60T (2 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW20N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW20N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil f...
Bourns
BIDW20N60T
ab € 885,90*
pro 600 Stück
 
 Packung
99%
IGBT, 600 V, 5 A, DPAK, Bourns Electronics GmbH BIDD05N60T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDD05N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDD05N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDD05N60T
ab € 0,53*
pro Stück
 
 Stück
99%
IGBT, 600 V, 30 A, TO-247, Bourns Electronics GmbH BIDW30N60T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW30N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDW30N60T
ab € 1,80*
pro Stück
 
 Stück
99%
IGBT, 650 V, 50 A, TO-247, Bourns Electronics GmbH BIDW50N65T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW50N65T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDW50N65T
ab € 2,35*
pro Stück
 
 Stück
99%
SMD TVS Diode, Bidirektional, 28 V, DFN, Bourns Electronics GmbH PTVS2-022C-H (3 Angebote) 
Hochstrom-TVS-Diode, PTVS2-022C-H, Bourns Electronics GmbH Die Hochstrom-TVS-Diode ist für den Einsatz in Hochleistungs-Zwischenkreisklemmanwendungen konzipiert. Features * Bidirektionales TVS * Ni...
Bourns
PTVS2-022C-H
ab € 1,94*
pro Stück
 
 Stück
99%
SMD TVS Diode, Bidirektional, 28 V, DFN, Bourns Electronics GmbH PTVS1-022C-H (3 Angebote) 
Hochstrom-TVS-Diode, PTVS1-022C-H, Bourns Electronics GmbH Die Hochstrom-TVS-Diode wurde zum Schutz von DC- oder PoE-gespeisten Systemen wie Small Cells oder Überwachungskameras entwickelt, die hoh...
Bourns
PTVS1-022C-H
ab € 1,89*
pro Stück
 
 Stück
99%
SMD TVS Diode, Bidirektional, 30 V, DFN, Bourns Electronics GmbH PTVS2-026C-H (3 Angebote) 
Hochstrom-TVS-Diode, PTVS2-026C-H, Bourns Electronics GmbH Die Hochstrom-TVS-Diode ist für den Einsatz in Hochleistungs-Zwischenkreisklemmanwendungen konzipiert. Features * Bidirektionales TVS * Ni...
Bourns
PTVS2-026C-H
ab € 1,94*
pro Stück
 
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99%
SMD TVS Diode, Bidirektional, 30 V, DFN, Bourns Electronics GmbH PTVS1-026C-H (3 Angebote) 
Hochstrom-TVS-Diode, PTVS1-026C-H, Bourns Electronics GmbH Die Hochstrom-TVS-Diode wurde zum Schutz von DC- oder PoE-gespeisten Systemen wie Small Cells oder Überwachungskameras entwickelt, die hoh...
Bourns
PTVS1-026C-H
ab € 1,89*
pro Stück
 
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99%
SMD TVS Diode, Bidirektional, 67 V, DFN, Bourns Electronics GmbH PTVS2-058C-H (3 Angebote) 
Hochstrom-TVS-Diode, PTVS2-058C-H, Bourns Electronics GmbH Die Hochstrom-TVS-Diode ist für den Einsatz in Hochleistungs-Zwischenkreisklemmanwendungen konzipiert. Features * Bidirektionales TVS * Ni...
Bourns
PTVS2-058C-H
ab € 2,63*
pro Stück
 
 Stück
99%
SMD TVS Diode, Bidirektional, 34 V, DFN, Bourns Electronics GmbH PTVS1-029C-H (3 Angebote) 
Hochstrom-TVS-Diode, PTVS1-029C-H, Bourns Electronics GmbH Die Hochstrom-TVS-Diode wurde zum Schutz von DC- oder PoE-gespeisten Systemen wie Small Cells oder Überwachungskameras entwickelt, die hoh...
Bourns
PTVS1-029C-H
ab € 1,89*
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99%
SMD TVS Diode, Bidirektional, 86 V, DFN, Bourns Electronics GmbH PTVS1-066C-H (3 Angebote) 
Hochstrom-TVS-Diode, PTVS1-066C-H, Bourns Electronics GmbH Die Hochstrom-TVS-Diode wurde zum Schutz von DC- oder PoE-gespeisten Systemen wie Small Cells oder Überwachungskameras entwickelt, die hoh...
Bourns
PTVS1-066C-H
ab € 2,40*
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 Stück
99%
SMD TVS Diode, Bidirektional, 67 V, DFN, Bourns Electronics GmbH PTVS1-058C-H (2 Angebote) 
Hochstrom-TVS-Diode, PTVS1-058C-H, Bourns Electronics GmbH Die Hochstrom-TVS-Diode wurde zum Schutz von DC- oder PoE-gespeisten Systemen wie Small Cells oder Überwachungskameras entwickelt, die hoh...
Bourns
PTVS1-058C-H
ab € 2,00*
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