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2N7000 TO92 THT N-CHANNEL POWER MOSFET (1 Angebot) Technologie: N-CHANNEL POWER MOSFET Herstellerbezeichnung: 2N7000G-T92-K Drain-Source-Spannung: 60 V Drainstrom: 115 mA Drain-Source-Einschaltwiderstand: 1,7 Ohm Eingangskapazität: 20 pF Ausgangska... |
Unisonic Technologies 2N7000 |
ab € 0,0267*
pro Stück |
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2N7002K SOT23 SMT N-CHANNEL POWER MOSFET (1 Angebot) Technologie: N-CHANNEL POWER MOSFET Details: Plastic-Encapsulate Details: ESD protected Drain-Source-Spannung: 60 V Drain-Gate-Spannung: 60 V Gate-Source-Spannung: +/-20 V Drainstrom: 340 mA max. D... |
Hottech Semiconductor 2N7002K |
ab € 0,0119*
pro Stück |
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2SJ127 TO220 THT SILICON P-CHANNEL MOSFET (1 Angebot) Technologie: SILICON P-CHANNEL MOSFET Drain-Source-Spannung: -120 V Drainstrom: -10 A Ausgangskapazität: 1450 pF Drain-Source-Durchlasswiderstand: 0,25 Ohm |
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ab € 4,02*
pro Stück |
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2SJ162 TO-3P THT SILICON P-CHANNEL MOSFET (1 Angebot) Technologie: SILICON P-CHANNEL MOSFET Details: Low frequency power amplifier Drain-Source-Spannung: -160 V Gate-Source-Spannung: +/- 15 V Drainstrom: -7 A Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 100 W Betrie... |
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ab € 5,46*
pro Stück |
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2SJ306 TO220_ISOLIERT THT SILICON P-CHANNEL MOSFET (1 Angebot) Technologie: SILICON P-CHANNEL MOSFET Details: Ultrahigh-Speed Switching Applications Drain-Source-Spannung: -250 V Gate-Source-Spannung: +/- 30 V Drainstrom: -3 A Gate-Leckstrom: - 10 µA Verlustle... |
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ab € 0,41*
pro Stück |
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2SJ449 TO220_ISOLIERT THT P-CHANNEL MOSFET (1 Angebot) Technologie: P-CHANNEL MOSFET Details: SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Drain-Source-Spannung: -250 V Gate-Source-Spannung: +/- 30 V Drainstrom: +/- 6 A Gate-Leckstrom: - 100 µA Ver... |
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ab € 0,44*
pro Stück |
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2SJ512 TO220_ISOLIERT THT P-CHANNEL MOSFET (1 Angebot) Technologie: P-CHANNEL MOSFET Drain-Source-Spannung: -250 V Gate-Source-Spannung: +/- 20 V Dunkelstrom: -5 A Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 30 W Betriebstemperatur: 150 °C |
Toshiba Electronics 2SJ512 |
ab € 0,67*
pro Stück |
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2SK1006 TO-3PN THT N-CHANNEL MOSFET (1 Angebot) Technologie: N-CHANNEL MOSFET Drain-Source-Spannung: 450 V Gate-Source-Spitzenspannung: +/-30 V Drainstrom: 5 A Gate Fehlerstrom: 10 nA max Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 40 W Eingangskapazität: 500... |
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ab € 0,58*
pro Stück |
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2SK104 TO92 THT SILICON N-CHANNEL MOSFET (1 Angebot) Technologie: SILICON N-CHANNEL MOSFET Details: HF amplification Gate-Drain-Spannung: 30 V Drainstrom: 20 mA Gate-Leckstrom: -10 nA Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 250 mW Betriebstemperatur: -55 - 125 °C |
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ab € 0,127*
pro Stück |
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2SK1118 TO220_ISOLIERT THT N-CHANNEL MOSFET (1 Angebot) Technologie: N-CHANNEL MOSFET Details: High Speed, High Current DC-DC Converter Gate-Drain-Spannung: 600 V Drain-Source-Spannung: 600 V Gate-Source-Spannung: +/- 30 V Drainstrom: 6 A Gate-Leckstrom... |
Toshiba Electronics 2SK1118 |
ab € 1,62*
pro Stück |
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2SK117 TO92 THT SILICON N-CHANNEL MOSFET (1 Angebot) Technologie: SILICON N-CHANNEL MOSFET Details: Low Noise Audio Amplifier Applications Gate-Drain-Spannung: -50 V Durchlass-Gate-Strom: 10 mA Gate-Abschaltstrom: -1 nA typ. Rauschzahl: 1 dB Verlustl... |
Toshiba Electronics 2SK117 |
ab € 0,41*
pro Stück |
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2SK1488 TO-3P THT N-CHANNEL MOSFET (1 Angebot) Technologie: N-CHANNEL MOSFET Drain-Source-Spannung: 500 V Gate-Source-Spannung: +/-20 V Drainstrom: 10 A Gate Fehlerstrom: +/-100 nA max Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 125 W Eingangskapazität: 870 ... |
Toshiba Electronics 2SK1488 |
ab € 1,51*
pro Stück |
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2SK1518 TO-3P THT N-CHANNEL MOSFET (1 Angebot) Technologie: N-CHANNEL MOSFET Drain-Source-Spannung: 500 V Gate-Source-Spannung: +/- 30 V Dunkelstrom: 20 A Verlustleistung: 120 W Betriebstemperatur: -50 - 150 °C |
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ab € 4,99*
pro Stück |
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2SK161 2–4E1A-C-D THT SILICON N-CHANNEL MOSFET (1 Angebot) Technologie: SILICON N-CHANNEL MOSFET Details: FM Tuner Application, VHF Band Amplifier Application Gate-Drain-Spannug: -18 V Durchlass-Gate-Strom: 10 mA typ. Rauschzahl: 2,5 dB Verlustleistung @ T... |
Toshiba Electronics 2SK161 |
ab € 0,35*
pro Stück |
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Toshiba Electronics 2SK1720 |
ab € 0,38*
pro Stück |
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