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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.652 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 104A; Idm: 200A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 104A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...
Vishay
SIDR668ADP-T1-RE3
ab € 4.423,83*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 7,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...
Vishay
SIR870DP-T1-GE3
ab € 4.423,83*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 90,9A; Idm: 200A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 90,9A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIDR570EP-T1-RE3
ab € 4.211,70*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PQFN5X6 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 13A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: R...
Infineon
IRFH5010TRPBF
ab € 4.161,80*
pro 4.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3,8A; 3,6W; PQFN5X6 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PQFN5X6 Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 3,8A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 3,6W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: ...
Infineon
IRFH5025TRPBF
ab € 4.161,20*
pro 4.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 10,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...
Vishay
SIR804DP-T1-GE3
ab € 4.151,13*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...
Vishay
SIR846DP-T1-GE3
ab € 3.999,60*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 53,7A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 53,7A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...
Vishay
SIR872DP-T1-GE3
ab € 3.908,70*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 250W; PQFN5X6 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PQFN5X6 Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 17A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Ro...
Infineon
IRFH5007TRPBF
ab € 3.838,00*
pro 4.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 80A; 83W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: u...
Vishay
SIR438DP-T1-GE3
ab € 3.789,78*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 28A; 3,6W; PQFN5X6 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PQFN5X6 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 28A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 3,6W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Ro...
Infineon
IRFH5004TRPBF
ab € 3.717,68*
pro 4.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung: ...
Vishay
SIR880DP-T1-GE3
ab € 3.671,70*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35,4A; Idm: 80A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 35,4A Widerstand im Leitungszustand: 33,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisieru...
Vishay
SIR610DP-T1-RE3
ab € 3.670,08*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PQFN5X6 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 42A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 156W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Ro...
Infineon
IRFH8307TRPBF
ab € 3.519,92*
pro 4.000 Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 100A; 83W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: uni...
Vishay
SIR688DP-T1-GE3
ab € 3.519,09*
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