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  N-Kanal-Transistoren SMD (769 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2,3A; Idm: 14A; 125W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 2,3A Widerstand im Leitungszustand: 3,7Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: u...
Vishay
SIHFBF30S-GE3
ab € 1,24*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1,1A; Idm: 6,8A; 54W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 1,1A Widerstand im Leitungszustand: 8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 54W Polarisierung: unip...
Vishay
IRFBF20SPBF
ab € 0,65*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1,1A; Idm: 6,8A; 54W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 1,1A Widerstand im Leitungszustand: 8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 54W Polarisierung: unip...
Vishay
SIHFBF20S-GE3
ab € 0,71*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1,1A; Idm: 6,8A; 54W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 1,1A Widerstand im Leitungszustand: 8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 54W Polarisierung: unip...
Vishay
SIHFBF20STRL-GE3
ab € 0,71*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1,6W; SOT23 (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 8V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,6W Polarisierung: unipolar Ve...
Vishay
SI2342DS-T1-GE3
ab € 0,151*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1,8W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: MICROFOOT® 1.6x1.6 Drain-Source Spannung: 8V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,8W Polarisierun...
Vishay
SI8424CDB-T1-E1
ab € 0,235*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 440mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 179W Polarisierung: un...
Vishay
SIHB11N80E-GE3
ab € 1,71*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; D2PAK,TO263 (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 5A Widerstand im Leitungszustand: 0,45Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 78W Polarisierung: uni...
Vishay
SIHB11N80AE-GE3
ab € 1,05*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5,4A; Idm: 15A; 78W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 5,4A Widerstand im Leitungszustand: 940mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 78W Polarisierung: u...
Vishay
SIHB6N80E-GE3
ab € 1,13*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,4A; Idm: 15A; 78W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,4A Widerstand im Leitungszustand: 940mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 78W Polarisierung: un...
Vishay
SIHD6N80E-GE3
ab € 0,852*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,2A; Idm: 10A; 62,5W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierung: ...
Vishay
SIHD6N80AE-GE3
ab € 0,50*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,7A; Idm: 11A; 69W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 1,27Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: u...
Vishay
SIHB4N80E-GE3
ab € 0,968*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,7A; Idm: 11A; 69W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 1,27Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: un...
Vishay
SIHD4N80E-GE3
ab € 0,692*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,6A; 125W; D2PAK,TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 2,6A Widerstand im Leitungszustand: 3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: uni...
Vishay
IRFBE30SPBF
ab € 1,17*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 184mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 208W Polarisierung: u...
Vishay
SIHB24N80AE-GE3
ab € 1,58*
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