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  N-Kanal-Transistoren SMD (769 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 18,6A; Idm: 50A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 18,6A Widerstand im Leitungszustand: 64mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 52W Polarisierung:...
Vishay
SIR624DP-T1-GE3
ab € 0,468*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2,2A; Idm: 8A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 2,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,26Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar...
Vishay
SI4464DY-T1-E3
ab € 0,74*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 20,2A; Idm: 50A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 20,2A Widerstand im Leitungszustand: 53,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 52W Polarisierun...
Vishay
SIR616DP-T1-GE3
ab € 0,643*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 34,4A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 34,4A Widerstand im Leitungszustand: 39mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...
Vishay
SIR690DP-T1-RE3
ab € 0,958*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 34,4A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 34,4A Widerstand im Leitungszustand: 39mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...
Vishay
SIR690DP-T1-GE3
ab € 0,691*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35,1A; Idm: 70A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 35,1A Widerstand im Leitungszustand: 42,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unip...
Vishay
SUM90330E-GE3
ab € 0,673*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35,4A; Idm: 80A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 35,4A Widerstand im Leitungszustand: 33,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisieru...
Vishay
SIR610DP-T1-RE3
ab € 3.742,89*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35,8A; Idm: 70A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 35,8A Widerstand im Leitungszustand: 42,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unip...
Vishay
SUD90330E-GE3
ab € 1.641,20*
pro 2.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 39,6A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 39,6A Widerstand im Leitungszustand: 33,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackung...
Vishay
SIDR610DP-T1-GE3
ab € 2,03*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 39,6A; Idm: 80A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 39,6A Widerstand im Leitungszustand: 33,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackung...
Vishay
SIDR610DP-T1-RE3
ab € 4.590,99*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 64A Widerstand im Leitungszustand: 23,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 230W Polarisierung: unipol...
Vishay
SUM90220E-GE3
ab € 1,25*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 16,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Polarisierung: unipol...
Vishay
SUM90142E-GE3
ab € 1,73*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 129A; Idm: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 129A Widerstand im Leitungszustand: 42mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W Polarisierung...
Vishay
SISA40DN-T1-GE3
ab € 0,43*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 12A; Idm: 40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 18,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
Vishay
SIA430DJT-T1-GE3
ab € 0,164*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 15,6A; Idm: 60A; 2W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 15,6A Widerstand im Leitungszustand: 9,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisierun...
Vishay
SISH106DN-T1-GE3
ab € 0,641*
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