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  N-Kanal-Transistoren SMD (1.210 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 11,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung:...
Vishay
SIR882DP-T1-GE3
ab € 1,004*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 11,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung:...
Vishay
SIR882ADP-T1-GE3
ab € 1,22*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 63,7A; Idm: 200A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 63,7A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 71,4W Polarisierung...
Vishay
SIR516DP-T1-RE3
ab € 0,89*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 65,8A; Idm: 150A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 65,8A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83,3W Polarisierung...
Vishay
SIR106DP-T1-RE3
ab € 0,739*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 65,8A; Idm: 150A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 65,8A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83,3W Polarisierung...
Vishay
SIR846BDP-T1-RE3
ab € 0,617*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 65,8A; Idm: 150A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 65,8A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83,3W Polarisierung...
Vishay
SIR106ADP-T1-RE3
ab € 0,73*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 67,5A; Idm: 200A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 67,5A Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83,3W Polarisieru...
Vishay
SIR882BDP-T1-RE3
ab € 0,565*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7,5A; Idm: 10A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 7,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 23W Polarisierung:...
Vishay
SIR698DP-T1-GE3
ab € 0,463*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 79A; Idm: 200A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 79A Widerstand im Leitungszustand: 7,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 100W Polarisierung:...
Vishay
SIR104DP-T1-RE3
ab € 0,995*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8,8A; Idm: 10A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 8,8A Widerstand im Leitungszustand: 135mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 15,6W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIA112LDJ-T1-GE3
ab € 0,243*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 81A Widerstand im Leitungszustand: 7,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 100W Polarisierung:...
Vishay
SIR870BDP-T1-RE3
ab € 2.922,99*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 81A Widerstand im Leitungszustand: 7,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 100W Polarisierung:...
Vishay
SIR104ADP-T1-RE3
ab € 0,828*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 81A Widerstand im Leitungszustand: 7,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 100W Polarisierung:...
Vishay
SIR104LDP-T1-RE3
ab € 0,731*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 81A Widerstand im Leitungszustand: 7,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 100W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...
Vishay
SIDR104ADP-T1-RE3
ab € 1,04*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90,5A; Idm: 200A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 90,5A Widerstand im Leitungszustand: 7,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 120W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIDR104AEP-T1-RE3
ab € 1,38*
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