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  IGBT-Module (1.136 Artikel)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GAL12F4 22896040
€ 84,91*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAL126D 22890472
€ 211,59*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPONT6 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SKD 116/12-L140 07916640
€ 494,91*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAL12E4 22892304
€ 223,17*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GAL12T4 22892280
€ 353,59*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 140A Kollektorstrom im Impuls: 300A Elek...
IXYS
MCMA240UI1600ED
€ 159,28*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im I...
Microchip Technology
APT100GT120JU2
€ 61,70*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAL12VL2 22895560
€ 118,56*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 175A Kollektorstrom im Impuls: 450A Elek...
IXYS
MDMA450UB1600PTED
€ 206,45*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Anwendung: für UPS;Wechselrichter;Photovoltaik E...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24NAB12T4V2 25238100
€ 240,65*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM195GAL126D 22890470
€ 140,40*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 324A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL12E4 22892314
€ 220,40*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im ...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 38NAB12T7V1 25231930
€ 456,67*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im ...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 38GAL12E4V1 25241239
€ 337,06*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GAL12V 22892301
€ 112,77*
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