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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4,6A; 1W; SOT23


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SQ2318AES-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQ2318AES-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
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Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 4,6A
Widerstand im Leitungszustand: 31mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 8,7nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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