smd transistor  (11.203 Angebote unter 27.750.289 Artikeln)

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,8 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Tra...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 V Betriebs...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,115A Widerstand im Leitungszustand: 7,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,225W Polarisierung: unip...

IGBT, IXA4I1200UC-TRL, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit,...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,9 W Gleichstromverstärkung min. = 400 Tra...

Quellstrom: 200 mA Leistungsschalter: MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 350 mA Treiberkon...

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT223;SC73 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 3A Widerstand im Leitungszustand: 389mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlustle...

IGBT, IXA4I1200UC-TUB, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit,...

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 350 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) RoHS konform: Ja

IGBT, IXA70I1200NA, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit, Ho...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = TP-FA Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 15 W Gleichstromverstärkung min. = 200 Transistor-K...

Produktpalette: - MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach NPN Betri...

IGBT, IXA60IF1200NA, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit, H...

Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...