Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W

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Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 2A
Widerstand im Leitungszustand: 0,325Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 3,5nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 9A