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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3,3A; 1,1W; SOT23


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2304DDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 3,3A
Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 2,1nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
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