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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,7A; Idm: 30A; 1,3W; SO8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,7A; Idm: 30A; 1,3W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,7A; Idm: 30A; 1,3W; SO8
Artikel-Nr.:
     2805-DMG9926USD-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMG9926USD-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 6,7A
Widerstand im Leitungszustand: 37mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 8,8nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: 30A
Die Konditionen im Überblick1
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