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| Artikel-Nr.:
108EL-7082497 Herst.-Nr.:
ZXMN6A08GTA EAN/GTIN:
5059043157566 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5.3 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 3.9 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 5,8 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5.3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 150 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 3.9 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 5,8 nC @ 10 Vmm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, 7082497, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMN6A08GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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