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| Artikel-Nr.:
4502-53S4033 Herst.-Nr.:
FM25V10-GTR EAN/GTIN:
4099879150585 |
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| Abbildung kann abweichen. Speicher ICs, FM25V10-GTR, Cypress Der FM25V10 ist ein nichtflüchtiger 1-Mbit-Speicher, der ein fortschrittliches ferroelektrisches Verfahren verwendet: Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (F-RAM) ist nichtflüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM mit 100 Billionen Lese-/Schreibzyklen oder 100 Millionen Mal mehr Schreibzyklen als EEPROM durch. Das Gerät verwendet den Hochgeschwindigkeits-SPI-Bus, der die Hochgeschwindigkeits-Schreibfähigkeit der F-RAM-Technologie verbessert, und wird mit einer eindeutigen Seriennummer angeboten, die nur lesbar ist und zur Identifizierung einer Karte oder eines Systems verwendet werden kann. Features * Hohe Ausdauer 100 Billionen Lese-/Schreibvorgänge * Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI) * Hochentwickeltes Schreibschutzsystem * Geräte-ID und Seriennummer * Geringer Stromverbrauch Weitere Informationen: | | Gehäuse: | SOIC-8 | max. Temperatur: | 85 °C | min. Temperatur: | -40 °C | Montage: | SMD | Spannung: | 2-3,6 V | Speichergröße: | 1 Mbit | Taktfrequenz: | 40 MHz | Technologie: | FRAM | Gewicht: | 0.00017 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: eeprom, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, IC, Integrierte Schaltung, Speicherbaustein |
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