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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; 30W; TO220FP


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; 30W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; 30W; TO220FP
Artikel-Nr.:
     2805-STF23NM50N
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STF23NM50N
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220FP
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 11A
Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 30W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Technologie: MDmesh™ ||
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.