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Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W
Artikel-Nr.:
     2805-IXFJ26N50P3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFJ26N50P3
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: ISO247™
Bereitschaftszeit: 250ns
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 14A
Widerstand im Leitungszustand: 0,295Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 180W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 42nC
Technologie: HiPerFET™;Polar3™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 78A
Die Konditionen im Überblick1
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