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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 90A; 2,8W; TO220AB

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 90A; 2,8W; TO220AB

Artikel-Nr.:
2805-DMNH10H028SCT

Hersteller:
Diodes

Herst.-Nr.:
DMNH10H028SCT

EAN/GTIN:
k.A.

Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 42A
Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 25,4nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 90A

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