Infineon Diode Einfach 1 Element/Chip THT TO-247 3-Pin Siliziumverbindung 2.3V

Diodenkonfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gehäusegröße = TO-247
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Maximaler Spannungsabfall = 2.3V
Betriebstemperatur min. = –40 °C
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Länge = 16.13mm
Breite = 5.21mm
Höhe = 21.1mm
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Verlustleistung = 180W

Schnell schaltende, impulsgebergesteuerte Dioden, Infineon. Die impulsgebergesteuerten Infineon Schaltdioden sind die Familien Rapid 1 und Rapid 2 sowie die 600 V/1200 V Ultrasoft-Dioden. Die Dioden Arbeiten in verschiedenen Anwendungen wie Telekommunikation, USV, Schweißen, AC/DC und die Ultrasoft-Version arbeitet in Motorantriebsanwendungen bis zu 30 kHz.. ;i> Rapid 1 ;/i>-Diode schaltet zwischen 18 kHz und 40 kHz 1,35 V temperaturstabile Durchlassspannung Ideal für PFC-Topologien (Leistungsfaktorkorrektur) Die ;i>Rapid 2 ;/i> -Diode schaltet zwischen 40 kHz und 100 kHz Geringe Umkehr-Erholungsladungen: Durchlassspannungsverhältnis für BiC-Leistung Geringe Umkehr-Erholzeit Geringe Einschaltverluste auf dem Starthilfeschalter ;i> Extrem schnelle Diode ;/i> 600 V/1200 V impulsgebergesteuerte Technologie Zugelassen gemäß JEDEC-Standard Gute Abschirmung gegenüber elektromagnetischen Störungen Geringe Leitungsverluste Einfache Parallelschaltung