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  IGBT-Module (1.135 Artikel)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 47A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 47A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT47GA60JD40
€ 51,37*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 52A Kollektorstrom im Impuls: 360A V...
IXYS
IXGN72N60C3H1
€ 45,76*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT60GA60JD60
€ 52,11*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT65GP60J
€ 57,26*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT65GP60JDQ2
€ 59,69*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 68A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT80GP60J
€ 65,40*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 68A Kollektorstrom i...
Microchip Technology
APT80GP60JDQ3
€ 65,53*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im Impuls: 440A V...
IXYS
IXXN100N60B3H1
€ 50,99*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Ve...
IXYS
IXXN200N60B3H1
€ 53,78*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Ve...
IXYS
IXXN200N60C3H1
€ 49,93*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impuls: 490A V...
IXYS
IXYN100N65B3D1
€ 42,40*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 470A V...
IXYS
IXXN110N65C4H1
€ 43,03*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 650A V...
IXYS
IXXN110N65B4H1
€ 42,97*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Impuls: 360A Ve...
IXYS
IXYN75N65C3D1
€ 40,60*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 90A Kollektorstrom im Impuls: 420A Ve...
IXYS
IXYN100N65C3H1
€ 34,41*
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