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IGBT-Module
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Hersteller: HUAJING
IGBT-Module
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
(1 Angebot)
Hersteller: HUAJING Gehäuse: V3 62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Impuls: 4...
HUAJING
HFGM200D12V3
€ 94,65*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
(1 Angebot)
Hersteller: HUAJING Gehäuse: V1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impuls: 200A A...
HUAJING
HFGM100D12V1
€ 58,95*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
(1 Angebot)
Hersteller: HUAJING Gehäuse: V1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Impuls: 200A An...
HUAJING
HFGM75D12V1
€ 52,40*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
(1 Angebot)
Hersteller: HUAJING Gehäuse: V3 62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impuls: 6...
HUAJING
HFGM300D12V3
€ 153,51*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
(1 Angebot)
Hersteller: HUAJING Gehäuse: V3 62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impuls: 3...
HUAJING
HFGM150D12V3
€ 90,20*
pro Stück
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