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Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     858A-9783642270185
Hersteller:
     Springer Verlag
Herst.-Nr.:
     9783642270185
EAN/GTIN:
     9783642270185
Suchbegriffe:
Wärme-, Energie- und Kraftwerktechn...
Wärme-, Energie- und Kraftwerktechn...
allgemeine Technikbücher
allgemeine Technikbücher - englisch...
Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.
Weitere Informationen:
Author:
Koichiro Ishibashi; Kenichi Osada
Verlag:
Springer Berlin
Sprache:
eng
Weitere Suchbegriffe: allgemeine technikbücher - englischsprachig, CMOS LSI, Memory cell, Reliability, SRAM, Study, CMOS LSI; Memory cell; SRAM; Study; reliability
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