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| Artikel-Nr.:
4502-74P0815 Herst.-Nr.:
IXGT30N120B3D1 EAN/GTIN:
4099891776800 |
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| IGBT, IXGT30N120B3D1, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringen Gate-Ansteuerungsanforderungen. Features * Quadratischer RBSOA * Antiparallele ultraschnelle Diode * Internationales Standardgehäuse Anwendungen * Leistungsinverter * UPS * Motorische Antriebe * SMPS * PFC-Schaltungen * Schweissmaschinen Weitere Informationen: | | Ausführung: | Einfach | Gehäuse: | TO-268SU | max. Spannung: | 1200 V | max. Strom: | 50 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | SMD | Sättigungsspannung: | 3.5 V | Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ.: | 5.1 mJ | Schaltverlust b. Einschalten Eon typ.: | 6.7 mJ | Verlustleistung VA (AC): | 300 W | Ursprungsland: | PH | Gewicht: | 0.004 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente |
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