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| Artikel-Nr.:
4502-17S7494 Herst.-Nr.:
BSO615CGHUMA1 EAN/GTIN:
4099879032881 |
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| Doppel-MOSFET, BSO615CGHUMA1, Infineon Technologies Der BSO615C G ist ein SIPMOS® Kleinsignaltransistor mit zwei N/P-Kanälen im Anreicherungsmodus für DC/DC-Wandler- und On-Board-Ladegeräte-Anwendungen. Es handelt sich um einen komplementären MOSFET mit einem n-Kanal- und einem p-Kanal-Leistungstransistor im gleichen Gehäuse. Features * Lawine bewertet * Logische Ebene Weitere Informationen: | | Ausführung: | N/P-Kanal | Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V: | 110 mΩ | Gate Charge Qg @10V (nC): | 1.7 nC | Gehäuse: | SOIC-8 | max. Spannung: | 60 V | max. Strom: | 3.1 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | SMD | Verlustleistung W (DC): | 2 W | Gewicht: | 0.001 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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