Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26,5A; 250W; ESD

Achtung!
Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert.

Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247-4
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 26,5A
Widerstand im Leitungszustand: 56mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 250W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Ausführung: ESD
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Kelvin Terminal
Technologie: MDmesh™ V
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±25V