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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-STP6N90K5
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP6N90K5
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 900V
Drainstrom: 4A
Widerstand im Leitungszustand: 1,1Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 110W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 11nC
Technologie: MDmesh™ K5
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 24A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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