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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 70A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-STP35N60M2-EP
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP35N60M2-EP
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 16A
Widerstand im Leitungszustand: 0,13Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 190W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 41nC
Technologie: MDmesh™ M2
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 70A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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