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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 96A; 190W; TO220-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-STP33N65M2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP33N65M2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 24A
Widerstand im Leitungszustand: 0,14Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 190W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 41,5nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 96A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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