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Modul; einzelner Transistor; 650V; 55,7A; ISOTOP; schraubbar; 494W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-STE88N65M5
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STE88N65M5
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: ISOTOP
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 55,7A
Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ
Verlustleistung: 494W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Technologie: MDmesh™;PowerMesh™;MESH OVERLAY™
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 352A
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