Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W

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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Drain-Source Spannung: 700V
Drainstrom: 28A
Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 143W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 56nC
Technologie: SiC
Kanal-Art: anreicherungs
Drainstrom im Impuls: 100A